对比图
型号 IRF1404SPBF STB200NF04T4 STB120N4LF6
描述 N沟道,40V,162A,4mΩ@10VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STB120N4LF6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 3100 µohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -
额定电流 162 A 120 A -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 310000 mW 110 W
产品系列 IRF1404S - -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V -
连续漏极电流(Ids) 162 A 120 A 80A
上升时间 140 ns 320 ns 95 ns
输入电容(Ciss) 7360pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 310 W 110 W
下降时间 26 ns 120 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8 W 310000 mW 110W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 3.70 mΩ 0.0031 Ω
阈值电压 - - 1 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 9.35 mm -
高度 - 4.6 mm -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)