对比图
型号 FDA50N50 STW28NM50N STW45NM50FD
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA50N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 0.089 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STW28NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 VN沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 48.0 A - 45.0 A
漏源极电阻 0.089 Ω 0.135 Ω 0.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 625 W 150 W 417 W
阈值电压 5 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 48.0 A 21A 45.0 A
上升时间 360 ns 19 ns 107.5 ns
输入电容(Ciss) 6460pF @25V(Vds) 1735pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 625 W 150 W 417 W
下降时间 230 ns 52 ns 87.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 625W (Tc) 150W (Tc) 417W (Tc)
额定功率 625 W - -
针脚数 3 3 -
输入电容 4.98 nF - -
栅电荷 105 nC - -
长度 15.6 mm 15.75 mm 15.75 mm
宽度 4.8 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 19.9 mm 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -