FQB30N06LTM和FQB30N06TM

对比图

型号 FQB30N06LTM FQB30N06TM PHB160NQ08T,118

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB30N06LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 VTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RD2PAK N-CH 75V 75A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 79 W 3.75 W 300 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 32.0 A 30.0 A 75A

上升时间 210 ns 85 ns 56 ns

输入电容(Ciss) 1040pF @25V(Vds) 945pF @25V(Vds) 5585pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.75 W - 300 W

下降时间 110 ns 40 ns 48 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.75 W 3.75W (Ta), 79W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 32.0 A 30.0 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.027 Ω 40 mΩ -

漏源击穿电压 60.0 V 60 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±25.0 V -

针脚数 3 - -

阈值电压 2.5 V - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -