BD140和BD140G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD140 BD140G BD14010STU

描述 STMICROELECTRONICS  BD140  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 1.25 W, -1.5 A, 250 hFEON SEMICONDUCTOR  BD140G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 1.25 W, -1.5 A, 40 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD14010STU  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 12.5 W, -1.5 A, 63 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 50 MHz - -

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -1.50 A 1.50 A -1.50 A

针脚数 3 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP

耗散功率 1.25 W 1.25 W 12.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) 250 40 63

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 1250 mW

集电极最大允许电流 - 1.5A 1.5A

长度 7.8 mm - 8 mm

宽度 2.7 mm - 3.25 mm

高度 10.8 mm - 11.2 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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