FQT4N20LTF和STN4NF20L

对比图

型号 FQT4N20LTF STN4NF20L IRLM210ATF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT4N20LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS  STN4NF20L  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V 新Trans MOSFET N-CH 200V 0.77A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223-4

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 850 mA - 770 mA

针脚数 3 4 -

漏源极电阻 1.1 Ω 1.1 Ω 1.50 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.2 W 3.3 W 1.8 W

阈值电压 2 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V - 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 850 mA 1A 770 mA

上升时间 70 ns 2 ns -

输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds) 240pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.2 W 3.3 W -

下降时间 40 ns 10.4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.2 W 3.3W (Tc) 1.8W (Tc)

通道数 - 1 -

长度 6.5 mm 6.5 mm -

宽度 3.56 mm - -

高度 1.6 mm 1.8 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99