对比图
型号 BSC0902NSATMA1 FDMS7660 FDMS8025S
描述 INFINEON BSC0902NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 VMOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8025S 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TDSON-8 Power-56-8 Power-56-8
漏源极电阻 0.0022 Ω 0.0019 Ω 0.0022 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 2.5 W 50 W
阈值电压 1.2 V 1.9 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 24A 25A 24A
上升时间 5.2 ns 9 ns -
输入电容(Ciss) 1700pF @15V(Vds) 5565pF @15V(Vds) 3000pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
下降时间 3.6 ns 7 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
额定功率 48 W - -
针脚数 8 - 8
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 30 V
长度 5.9 mm 5 mm 5 mm
宽度 5.15 mm 6 mm 6 mm
高度 1.27 mm 1.05 mm 1.05 mm
封装 TDSON-8 Power-56-8 Power-56-8
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15