MUN5312DW1T1G和PUMD2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5312DW1T1G PUMD2 MUN5312DW1T2G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5312DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-363 新NXP  PUMD2  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363MUN5312DW1: 互补双极数字晶体管 (BRT)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-88-6 SOT-363 SOT-363

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 100 mA - -

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN+PNP

耗散功率 0.385 W 200 mW 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V - 60 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW - 385 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW - 385 mW

针脚数 - 6 -

直流电流增益(hFE) - 60 -

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.9 mm - -

封装 SC-88-6 SOT-363 SOT-363

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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