对比图
型号 IRFB4212PBF STP30NF10 STP24NF10
描述 N沟道,100V,18A,72.5mΩ@10VSTMICROELECTRONICS STP30NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP24NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 18.0 A 35.0 A 26.0 A
额定功率 - 115 W 85 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 72.5 mΩ 0.045 Ω 0.055 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 115 W 85 W
阈值电压 5 V 3 V 3 V
输入电容 550pF @50V - 870 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 35.0 A 26.0 A
上升时间 28.0 ns 40 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 550pF @50V(Vds) 1180pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 115 W 85 W
下降时间 - 10 ns 20 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60 W 115W (Tc) 85W (Tc)
产品系列 IRFB4212 - -
长度 10.66 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 16.51 mm 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2014/06/16
ECCN代码 - EAR99 EAR99