对比图
型号 KSH45H11TF MJD45H11TM MJD45H11TF
描述 Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2Pin, DPAK-3FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJD45H11TM 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 1.75 W, -8 A, 40 hFEPower PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
频率 40 MHz 40 MHz 40 MHz
额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V
额定电流 -8.00 A -8.00 A -8.00 A
针脚数 - 3 3
极性 PNP NPN PNP
耗散功率 1.75 W 1.75 W 20 W
增益频宽积 - 40 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 8A 8A 8A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V
最大电流放大倍数(hFE) - 60 -
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W
直流电流增益(hFE) - 40 60
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 20 W
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.1 mm 6.1 mm 6.1 mm
高度 - 2.3 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99