对比图
型号 STP10NK60ZFP STP3NK60ZFP FQPF12N60T
描述 STMICROELECTRONICS STP10NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STP3NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.65 Ω 3.3 Ω 700 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 35 W 20 W 55 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 2.40 A 5.80 A
上升时间 20 ns 14 ns 115 ns
输入电容(Ciss) 1370pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 35 W 20 W 55 W
下降时间 30 ns 14 ns 85 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 35W (Tc) 20W (Tc) 55W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 10.0 A - 10.5 A
额定功率 35 W - -
输入电容 1370 pF - 1.90 nF
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
栅电荷 - - 54.0 nC
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.3 mm 16.4 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99