对比图
型号 IPB011N04NG IPB180N04S4-H0 IPB180N04S4-01
描述 40V,180A,N沟道功率MOSFET的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorINFINEON IPB180N04S4-01 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7 7
封装 TO-263 TO-263-7 TO-263-7
针脚数 - - 7
漏源极电阻 - 1.1 mΩ 0.0011 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 250 W 250 W 188 W
阈值电压 - - 3 V
漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) - 180A 180A
上升时间 10 ns 24 ns 24 ns
输入电容(Ciss) - 13800pF @25V(Vds) 10770pF @25V(Vds)
下降时间 13 ns 49 ns 41 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 250000 mW 188000 mW
通道数 - 1 -
长度 - 10 mm 10 mm
宽度 - 9.25 mm 9.25 mm
高度 - 4.4 mm 4.4 mm
封装 TO-263 TO-263-7 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99