对比图
型号 CSD86330Q3D CSD87350Q5D CSD87333Q3D
描述 同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对高占空比同步降压 NexFET 3x3 电源块
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 LDFN-8 LSON-CLIP-8 VSON-8
电源电压(DC) 22.0V (max) - -
通道数 2 2 -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 4.6 Ω 0.005 Ω 0.0119 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 6 W 12 W 6 W
阈值电压 1.4 V 2.1 V 950 mV
漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 920pF @12.5V(Vds) 1770pF @15V(Vds) 662pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 6 W 12 W 6 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 6 W 12 W -
上升时间 - 17 ns 3.9 ns
下降时间 - 2.3 ns 2.2 ns
漏源击穿电压 - ±30 V -
长度 3.4 mm 6.1 mm 3.3 mm
宽度 3.4 mm 5.1 mm 3.3 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1 mm
封装 LDFN-8 LSON-CLIP-8 VSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 125℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99