BSP52和BSP52T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP52 BSP52T1G BSP52T3G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSP52  达林顿双极性晶体管ON SEMICONDUCTOR  BSP52T1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFEON SEMICONDUCTOR  BSP52T3G  达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 10.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

额定功率 1 W - -

针脚数 4 4 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1 W 800 mW 800 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V

额定功率(Max) 1 W 800 mW 800 mW

直流电流增益(hFE) 2000 1000 2000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1 W 1250 mW 125 W

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

输出电压 - 80 V 80 V

输出电流 - 1 A 1 A

热阻 - 156℃/W (RθJA) 156℃/W (RθJA)

集电极最大允许电流 - 1A 1A

输入电压 - 5 V 5 V

电路数 - 4 -

长度 6.5 mm 6.5 mm 6.7 mm

宽度 3.5 mm 3.5 mm 3.7 mm

高度 1.6 mm 1.57 mm 1.75 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2016/06/20

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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