BC639和BC639RL1G

对比图

型号 BC639 BC639RL1G BC639G

描述 NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  BC639RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFEON SEMICONDUCTOR  BC639G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 100 MHz 200 MHz 200 MHz

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1 W 800 mW 800 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1 W 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) - 40 40

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1 W 625 mW 625 mW

额定功率 - - 800 mW

长度 - 5.2 mm 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm 4.19 mm

高度 - 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR