对比图
型号 CSD19532KTT CSD19532KTTT CSD19536KTT
描述 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=200A P=250WCSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 1 1 -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 250 W 250 W 375 W
阈值电压 2.2 V 2.6 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 200A 200A 200A
上升时间 3 ns 3 ns 8 ns
正向电压(Max) 1 V - -
输入电容(Ciss) 5060pF @50V(Vds) 5060pF @50V(Vds) 12000pF @50V(Vds)
下降时间 2 ns 2 ns 6 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250W (Tc) 250W (Tc) 375W (Tc)
漏源极电阻 - 5.6 mΩ -
漏源击穿电压 - 100 V -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 9.25 mm -
高度 - 4.7 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -