STP10NK60ZFP和STP6NK60ZFP

对比图

型号 STP10NK60ZFP STP6NK60ZFP FQPF12N60T

描述 STMICROELECTRONICS  STP10NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STP6NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 10.0 A - 10.5 A

额定功率 35 W - -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.65 Ω 1.2 Ω 700 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 35 W 30 W 55 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

输入电容 1370 pF - 1.90 nF

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 6.00 A 5.80 A

上升时间 20 ns 14 ns 115 ns

输入电容(Ciss) 1370pF @25V(Vds) 905pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 35 W 30 W 55 W

下降时间 30 ns 19 ns 85 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 35W (Tc) 30000 mW 55W (Tc)

栅电荷 - - 54.0 nC

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.7 mm

高度 9.3 mm 9.3 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -