BCP55,115和BAT54SW,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP55,115 BAT54SW,115 BCP55

描述 NXP  BCP55,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCP55  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 1.5 W, 1.5 A, 25 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管肖特基二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 3

封装 TO-261-4 SOT-323-3 TO-261-4

针脚数 4 3 3

正向电压 - 800mV @100mA -

耗散功率 640 mW 230 mW 1.5 W

反向恢复时间 - 5 ns -

正向电流 - 200 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 600 mA -

正向电压(Max) - 800 mV -

正向电流(Max) - 200 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

工作结温 - 150℃ (Max) -

耗散功率(Max) 0.96 W 200 mW 1500 mW

频率 180 MHz - -

极性 NPN - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 60 V - 60 V

集电极最大允许电流 1A - -

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V - 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 63 @5mA, 2V - 250

额定功率(Max) 1.35 W - 1.5 W

直流电流增益(hFE) 63 - 25

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 1.50 A

增益频宽积 - - 100 MHz

长度 6.7 mm 2.2 mm 6.5 mm

宽度 3.7 mm 1.35 mm 3.5 mm

高度 1.7 mm 1 mm 1.6 mm

封装 TO-261-4 SOT-323-3 TO-261-4

重量 - 0.004535924 kg -

工作温度 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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