对比图
型号 SPD30P06P SPU30P06P MTB30P06VT4G
描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorP 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-263-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -30.0 A -30.0 A -30.0 A
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 125 W 125W (Tc) 3 W
输入电容 - 1.53 nF -
栅电荷 - 48.0 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A
输入电容(Ciss) 1535pF @25V(Vds) 1535pF @25V(Vds) 2190pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 125 W 3 W
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 80 mΩ
漏源击穿电压 - - 60 V
栅源击穿电压 - - ±15.0 V
上升时间 11 ns - 25.9 ns
下降时间 20 ns - 52.4 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-263-3
长度 6.5 mm - 10.29 mm
宽度 6.22 mm - 9.65 mm
高度 2.3 mm - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99