对比图
型号 IRF3805SPBF STB150NF55T4 STB200NF04T4
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 2.6Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 330W; VGS +/-20STMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 55.0 V 40.0 V
额定电流 - 120 A 120 A
漏源极电阻 3.3 mΩ 5 mΩ 3.70 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 310000 mW
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 40 V
漏源击穿电压 55 V 55 V 40.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 60.0 A 120 A
上升时间 - 180 ns 320 ns
输入电容(Ciss) 7960pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W 310 W
下降时间 - 80 ns 120 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 310000 mW
产品系列 IRF3805S - -
输入电容 7960pF @25V 4400 pF -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4 V -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -