MMBTA56LT1G和MMBTA56LT1HTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA56LT1G MMBTA56LT1HTSA1 MMBTA56LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56LT1G.  双极性晶体管, PNP -80V SOT-23单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56LT3G  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 50 MHz 100 MHz 50 MHz

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -500 mA -800 mA -500 mA

针脚数 3 - 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 300 mW 0.33 W 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 330 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 50 - 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 330 mW 225 mW

长度 2.9 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 0.94 mm - 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Last Time Buy Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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