对比图
型号 IPD60R2K0C6ATMA1 IPD60R2K0C6BTMA1 STD3NK60ZT4
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IPD60R2K0C6BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 22.3 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.8 Ω 1.8 Ω 3.3 Ω
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 22.3 W 22.3 W 45 W
阈值电压 3 V 3 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 2.4A 2.40 A
上升时间 7 ns 7 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 140pF @100V(Vds) 140pF @100V(Vds) 311pF @25V(Vds)
下降时间 50 ns 50 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 22.3W (Tc) 22.3W (Tc) 45W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 2.40 A
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
额定功率(Max) 22.3 W - 45 W
长度 - 6.5 mm 6.6 mm
宽度 - 6.22 mm 6.2 mm
高度 - 2.3 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99