对比图
型号 IRF3205SPBF STB140NF55T4 IRF3205STRLPBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3205SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, D2-PAK 新STMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VINFINEON IRF3205STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -
额定电流 110 A 80.0 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.008 Ω 0.0065 Ω 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 300 W 200 W
产品系列 IRF3205S - -
阈值电压 4 V 3 V 4 V
输入电容 3247pF @25V - 3247 pF
栅电荷 146 nC - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 55.0 V -
连续漏极电流(Ids) 110 A 80.0 A 110A
上升时间 101 ns 150 ns 101 ns
输入电容(Ciss) 3247pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds) 3247pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 300 W 200 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - - 200 W
下降时间 - 45 ns 65 ns
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 200W (Tc)
通道数 - 1 -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.67 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 9.35 mm 9.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17