对比图
型号 SUD50N10-18P-E3 IPD180N10N3 G PSMN025-100D,118
描述 N沟道100 - V（D -S）， 175 ℃下的MOSFET N-Channel 100-V (D-S), 175 °C MOSFETINFINEON IPD180N10N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 VNXP PSMN025-100D,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.0147 Ω 0.022 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 3 W 71 W 150 W
阈值电压 - 2.7 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 10 ns 12 ns 72 ns
输入电容(Ciss) 2600pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3 W 71 W 150 W
下降时间 8 ns 5 ns 58 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3000 mW 71W (Tc) 150W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 8.2A - 47.0 A
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.41 mm 2.38 mm
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17