PDTB113ET,215和PDTB113ZT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTB113ET,215 PDTB113ZT DTB114EKT146

描述 TO-236AB PNP 50V 500mANXP  PDTB113ZT  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFEPNP 晶体管,ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SC-59-3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.25 W 250 mW 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 500mA 500mA 500mA

最小电流放大倍数(hFE) 33 @50mA, 5V 70 56 @50mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW - 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW - 200 mW

额定电压(DC) - - -50.0 V

额定电流 - - -500 mA

额定功率 - - 0.2 W

最大电流放大倍数(hFE) - - 56

增益带宽 - - 200 MHz

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 70 -

高度 1 mm 1 mm 1.1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SC-59-3

长度 - 3 mm 2.9 mm

宽度 - 1.4 mm 1.6 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台