对比图
型号 BUK753R1-40E CSD18502KCS SUP90N04-3M3P-GE3
描述 NXP BUK753R1-40E 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3 V40V，N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETVISHAY SUP90N04-3M3P-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) TI (德州仪器) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.0026 Ω 0.0024 Ω 0.0027 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 234 W 216 W 125 W
阈值电压 3 V 1.8 V 1 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 - 40 V -
连续漏极电流(Ids) 100A 100A -
上升时间 - 7.3 ns 7 ns
输入电容(Ciss) - 4680pF @20V(Vds) 5286pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - 216 W -
下降时间 - 9.3 ns 7 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 259W (Tc) 125 W
针脚数 3 - 3
长度 - 10.67 mm 10.51 mm
宽度 - 4.7 mm 4.65 mm
高度 - 16.51 mm 15.49 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown 正在供货 -
包装方式 - Tube -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC