对比图
型号 FQP24N08 STP80NF10 STP24NF10
描述 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP24NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 80.0 V 100 V 100 V
额定电流 24.0 A 80.0 A 26.0 A
漏源极电阻 60.0 mΩ 0.012 Ω 0.055 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 75 W 300 W 85 W
漏源极电压(Vds) 80 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 80.0 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 24.0 A 80.0 A 26.0 A
上升时间 105 ns 80 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 75 W 300 W 85 W
下降时间 35 ns 60 ns 20 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) 300W (Tc) 85W (Tc)
额定功率 - 300 W 85 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 - 5500 pF 870 pF
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99