BQ4013MA-120和DS1245AB-120IND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4013MA-120 DS1245AB-120IND DS1245AB-120+

描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAMIC NVSRAM 1Mbit 120NS 32DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245AB-120+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 - 32

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V - 5.00 V, 5.25 V (max)

供电电流 50 mA - -

存取时间 120 ns - 120 ns

存取时间(Max) 120 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.25 V

电源电压(Min) 4.75 V - 4.75 V

针脚数 - - 32

时钟频率 - - 120 GHz

内存容量 - - 125000 B

长度 42.8 mm - 44.2 mm

宽度 18.42 mm - 18.8 mm

高度 9.4 mm - 10.92 mm

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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