IPB147N03LGATMA1和IPD090N03LGATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB147N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 IPB080N03LGATMA1

描述 D2PAK N-CH 30V 20AINFINEON  IPD090N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 VD2PAK N-CH 30V 50A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-2 TO-252-3 TO-263-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 31W (Tc) 42 W 47 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 20A 40A 50A

上升时间 2.4 ns - -

输入电容(Ciss) 1000pF @15V(Vds) 1600pF @15V(Vds) 1900pF @15V(Vds)

下降时间 2 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 31W (Tc) 42W (Tc) 47W (Tc)

额定功率 - 42 W 47 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0075 Ω 0.0067 Ω

阈值电压 - 2.2 V 1 V

封装 TO-263-2 TO-252-3 TO-263-3

宽度 - 6.22 mm 9.25 mm

长度 - - 10 mm

高度 - - 4.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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