对比图
型号 STI4N62K3 STU4N62K3 STD120N4LF6
描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STU4N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-251-3 TO-252-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 1.7 Ω 0.004 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 70 W 110 W
阈值电压 - 3.75 V 1V ~ 3V
漏源极电压(Vds) 620 V 620 V 40 V
漏源击穿电压 - - 40 V
上升时间 9 ns 9 ns 95 ns
输入电容(Ciss) 550pF @50V(Vds) 550pF @50V(Vds) 4300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 70 W 110 W
下降时间 19 ns 19 ns 45 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 110W (Tc)
针脚数 - 3 -
连续漏极电流(Ids) - 3.8A -
长度 10.4 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 4.6 mm 2.4 mm 6.2 mm
高度 10.75 mm 6.9 mm 2.4 mm
封装 TO-262-3 TO-251-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99