STI4N62K3

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STI4N62K3概述

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STI4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 3引脚


贸泽:
MOSFET N-channel 620 V 17 Pwr MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


安富利:
These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2A; 70W; I2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


力源芯城:
620V,1.7Ω,3.8A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK


STI4N62K3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

漏源极电压Vds 620 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 550pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 10.75 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买STI4N62K3
型号: STI4N62K3
描述:N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STI4N62K3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ST Microelectronics 意法半导体

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