对比图
型号 FDS8896 SI4156DY-T1-GE3 STS14N3LLH5
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild SemiconductorVISHAY SI4156DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.2 VN沟道30 V ， 0.005 Ω ， 14 A - SO- 8的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 15.0 A - -
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.0049 Ω 0.0048 Ω 5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.7 W
阈值电压 1.2 V 2.2 V 1 V
输入电容 2.52 nF - -
栅电荷 50.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 15.0 A 24.0 A 7.00 A
上升时间 37 ns 20 ns 14.5 ns
输入电容(Ciss) 2525pF @15V(Vds) - 1500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 2.7 W
下降时间 24 ns 15 ns 4.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.7W (Tc)
通道数 - - 1
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.65 mm
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -