对比图
型号 SPD04N50C3 SPD04N50C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1
描述 INFINEON SPD04N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 560 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。INFINEON SPD03N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3-1
漏源极电阻 0.85 Ω 0.85 Ω 1.26 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 50 W 38 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 560 V 500 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.5A 3.2A
上升时间 5 ns 5 ns 3 ns
输入电容(Ciss) 470pF @25V(Vds) 470pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 50 W 50 W -
下降时间 10 ns 10 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc) 38W (Tc)
针脚数 3 - 3
额定电压(DC) 560 V - -
额定电流 4.50 A - -
额定功率 42 W - -
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.41 mm 2.41 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3-1
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -