BSC152N10NSFG和BSC160N10NS3GATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC152N10NSFG BSC160N10NS3GATMA1 FDMS3662

描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-TransistorINFINEON  BSC160N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.0139 ohm, 10 V, 2.7 VFDMS3662 系列 100 V 14.8 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 56

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerTDFN-8 PG-TDSON-8 Power-56

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0139 Ω 0.0114 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 114 W 60 W 104 W

阈值电压 - 2.7 V 3.5 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 8.8A 8.9A

上升时间 - 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 1300pF @50V(Vds) 4620pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 114 W - 2.5 W

下降时间 - 5 ns 6 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 60W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)

额定功率 - 60 W -

输入电容 - 1300 pF -

长度 - 5.35 mm 5 mm

宽度 - 6.35 mm 6 mm

高度 - 1.1 mm 1.05 mm

封装 PowerTDFN-8 PG-TDSON-8 Power-56

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

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