IPD50N10S3L-16和STD40NF10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD50N10S3L-16 STD40NF10 SUD50N10-18P-E3

描述 INFINEON  IPD50N10S3L-16  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 VSTMICROELECTRONICS  STD40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 VN沟道100 - V(D -S), 175 ℃下的MOSFET N-Channel 100-V (D-S), 175 °C MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0125 Ω 0.025 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 100 W 125 W 3 W

阈值电压 1.7 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A 8.2A

上升时间 5 ns 46 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 3215pF @25V(Vds) 2180pF @25V(Vds) 2600pF @50V(Vds)

下降时间 5 ns 13 ns 8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 100000 mW 125W (Tc) 3000 mW

额定功率(Max) - 125 W 3 W

长度 6.5 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.3 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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