对比图
型号 FDH50N50 STW45NM60 FCA47N60_F109
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
引脚数 - 3 -
通道数 - 1 1
漏源极电阻 105 mΩ 110 mΩ 70 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 625 W 417 W 417 W
漏源极电压(Vds) 500 V 650 V 600 V
漏源击穿电压 500 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 48.0 A 45.0 A 47A
上升时间 360 ns 20 ns 210 ns
输入电容(Ciss) 6460pF @25V(Vds) 3800pF @25V(Vds) 8000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 625 W 417 W 417 W
下降时间 230 ns 23 ns 75 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 625W (Tc) 417W (Tc) 417W (Tc)
额定电压(DC) 500 V 600 V -
额定电流 48.0 A 45.0 A -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
输入电容 4.98 nF - -
栅电荷 105 nC - -
长度 15.87 mm 15.75 mm 16.2 mm
宽度 4.82 mm 5.15 mm 5 mm
高度 20.82 mm 20.15 mm 20.1 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99