对比图
型号 IPD053N08N3GATMA1 IPD068P03L3GBTMA1 IPD053N08N3GBTMA1
描述 IPD053N08N3GATMA1 编带INFINEON IPD068P03L3GBTMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V 新DPAK N-CH 80V 90A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.0044 Ω 0.005 Ω 4.4 mΩ
极性 N-Channel P-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 100 W 150 W
阈值电压 2.8 V 1.5 V 2 V
漏源极电压(Vds) 80 V 30 V 80 V
漏源击穿电压 - - 80 V
连续漏极电流(Ids) 90A 70A 90A
上升时间 66 ns 100 ns 66 ns
输入电容(Ciss) 4750pF @40V(Vds) 7720pF @15V(Vds) 4750pF @40V(Vds)
下降时间 10 ns 31 ns 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 100W (Tc) 150W (Tc)
额定功率 - 100 W -
针脚数 - 3 -
输入电容 3570 pF - -
额定功率(Max) 150 W - -
长度 - 6.5 mm 6.5 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.3 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -