对比图
型号 IRFR3411TRPBF PHD34NQ10T,118 STD25NF10T4
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 36Milliohms; ID 32A; D-Pak (TO-252AA); -55degTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
耗散功率 130 W 136 W 100 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 - 55 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 1704pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 130 W 136 W 100 W
下降时间 - 38 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 136W (Tc) 100W (Tc)
漏源极电阻 44 mΩ - 0.033 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
输入电容 1960pF @25V - -
漏源击穿电压 100 V - 100 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A - 12.5 A
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 25.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - 6.6 mm
高度 2.39 mm - 2.4 mm
宽度 - - 6.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99