对比图
型号 STH180N10F3-2 STI4N62K3 STP4N62K3
描述 N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP4N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 4 3 3
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 315 W 70 W 70 W
漏源极电压(Vds) 100 V 620 V 620 V
上升时间 97.1 ns 9 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 6665pF @25V(Vds) 550pF @50V(Vds) 450pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 315 W 70 W 70 W
下降时间 6.9 ns 19 ns 19 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 315W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)
针脚数 4 - 3
漏源极电阻 0.0039 Ω - 1.7 Ω
阈值电压 2 V - 3.75 V
输入电容 6665 pF - -
通道数 - - 1
连续漏极电流(Ids) - - 3.8A
长度 15.8 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 10.4 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 4.8 mm 10.75 mm 15.75 mm
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99