SPB07N60S5和SPD07N60C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPB07N60S5 SPD07N60C3 IPP60R600C6

描述 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power TransistorInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  IPP60R600C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 600 V 650 V -

额定电流 7.30 A 7.30 A -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

输入电容 970 pF - -

栅电荷 35.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 7.30 A 7.30 A 7.3A

上升时间 40 ns 3.5 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 970pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds) 440pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 83 W - 63 W

下降时间 20 ns 7 ns 13 ns

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.54 Ω 0.54 Ω

耗散功率 - 83 W 63 W

阈值电压 - 3 V 3 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 83 W 63W (Tc)

额定功率 - 83 W -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 600 V -

长度 10 mm 6.5 mm 10.36 mm

宽度 9.25 mm 6.22 mm 4.57 mm

高度 4.4 mm 2.3 mm 15.95 mm

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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