对比图
型号 SI4427BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-GE3 SI4425BDY-T1-E3
描述 VISHAY SI4427BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -9.7 A, -30 V, 0.0088 ohm, -10 V, -1.4 VMOSFET 30V 12.6A 2.5W 12.5mohm @ 4.5VVISHAY SI4425BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mV
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
安装方式 - - Surface Mount
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0088 Ω 0.0088 Ω 0.01 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.5 W 1.5 W 1.5 W
漏源极电压(Vds) -30.0 V 30 V -30.0 V
连续漏极电流(Ids) -12.6 A -12.6 A -11.4 A
上升时间 15 ns 15 ns 13 ns
下降时间 110 ns 110 ns 53 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1500 mW 1500 mW -
高度 1.55 mm 1.55 mm 1.55 mm
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 3.9 mm
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃