CSD18502Q5B和CSD18502Q5BT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD18502Q5B CSD18502Q5BT CSD18501Q5A

描述 40V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 15040V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18501Q5A

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSON-Clip-8 VSON-CLIP VSON-8

通道数 1 - 1

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0018 Ω - 0.0025 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 3.2 W 3.2 W 150 W

阈值电压 1.8 V - 1.8 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 26A 26A 100A

上升时间 6.8 ns 6.8 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 5070pF @20V(Vds) 3900pF @20V(Vds) 3840pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 3.2 W - 3.1 W

下降时间 4 ns 4 ns 3.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 3200 mW 3.1W (Ta), 150W (Tc)

漏源击穿电压 - - 40 V

长度 6.1 mm - 5.8 mm

宽度 5.1 mm - 5 mm

高度 1.05 mm - 1.1 mm

封装 VSON-Clip-8 VSON-CLIP VSON-8

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -

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