MJD50G和MJD50TF

对比图

型号 MJD50G MJD50TF MJD50

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD50G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFEON Semiconductor MJD50TF , NPN 晶体管, 1 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 DPAK (TO-252)封装高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 4 3 -

额定电压(DC) 400 V - 400 V

额定电流 1.00 A - 1.00 A

极性 NPN - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 1A - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 150

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

频率 10 MHz 10 MHz -

耗散功率 1.56 W 1.56 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1560 mW 1560 mW -

针脚数 4 - -

增益频宽积 10 MHz - -

热阻 8.33℃/W (RθJC) - -

直流电流增益(hFE) 30 - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.38 mm 2.38 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -