对比图
型号 IPD70N10S3-12 IPI70N10S3-12 IPP70N10S3-12
描述 Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFETOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorINFINEON IPP70N10S3-12 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0097 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-262-3 TO-220-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.0097 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 125 W - 125 W
阈值电压 - - 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 70A 70A 70A
上升时间 8 ns - 8 ns
输入电容(Ciss) 3350pF @25V(Vds) 3350pF @25V(Vds) 3350pF @25V(Vds)
下降时间 8 ns 8 ns 8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125 W 125 W 125 W
额定功率(Max) 125 W 125 W -
长度 6.5 mm 10.36 mm 10 mm
宽度 6.22 mm 4.52 mm 4.4 mm
高度 2.3 mm 9.45 mm 9.25 mm
封装 TO-252-3 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -