IRF7341TRPBF和STS4DNF60L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7341TRPBF STS4DNF60L IRF7341PBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7341TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOICSTMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7341PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, SOIC 新

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 55.0 V

额定电流 4.70 A 4.00 A 4.70 A

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.043 Ω 0.045 Ω 0.05 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2.5 W 2 W

阈值电压 1 V 1.7 V 1 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 55 V 60 V 55 V

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.70 A 4.00 A 4.70 A

上升时间 3.20 ns 28 ns 3.20 ns

输入电容(Ciss) 740pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW -

产品系列 IRF7341 - IRF7341

输入电容 780pF @25V - 780pF @25V

热阻 62.5℃/W (RθJA) - 62.5℃/W (RθJA)

工作结温(Max) - - 150 ℃

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm -

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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