IRG4BC30KD-SPBF和STGB19NC60HDT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4BC30KD-SPBF STGB19NC60HDT4 STGB14NC60KDT4

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeSTGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAKSTGB14NC60K 系列 600 V 14 A 表面贴装 耐短路 IGBT - D2PAK

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 28.0 A - 25.0 A

耗散功率 100 W 130000 mW 80000 mW

产品系列 IRG4BC30KD-S - -

上升时间 42.0 ns - 8.50 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 42 ns 31 ns 37 ns

额定功率(Max) 100 W 130 W 80 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

极性 - - N-Channel

输入电容 - - 760 pF

热阻 - - 62.5 ℃/W

耗散功率(Max) - 130000 mW 80000 mW

长度 10.67 mm - -

高度 4.703 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

宽度 - - 9.35 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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