对比图
型号 FQA10N80C FQA10N80C_F109 FQA10N80C-F109
描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA10N80C_F109 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 800 V - -
额定电流 10.0 A - -
漏源极电阻 1.10 Ω 0.93 Ω 0.93 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 240W (Tc) 240 W 240 W
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 800 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10A -
输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 2800pF @25V(Vds) 2150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 240 W 240 W -
耗散功率(Max) 240W (Tc) 240W (Tc) 240000 mW
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 5 V 5 V
上升时间 - 130 ns 130 ns
下降时间 - 80 ns 80 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3
长度 - 15.8 mm -
宽度 - 5 mm -
高度 - 18.9 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -