对比图
型号 CSD23382F4 CSD23382F4T CSD23285F5
描述 -12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0TEXAS INSTRUMENTS CSD23382F4T 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, -800 mVCSD23285F5 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.066 Ω -
极性 P-CH P-Channel P-CH
耗散功率 0.5 W 500 mW 1.4 W
阈值电压 - 800 mV -
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 3.5A 3.5A 5.4A
上升时间 25 ns 25 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 235pF @6V(Vds) 235pF @6V(Vds) 483pF @6V(Vds)
下降时间 41 ns 41 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 1400 mW
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99