对比图
型号 PUMB11,115 BST62,115 BCR183SE6433BTMA1
描述 NXP PUMB11,115 双极晶体管阵列, BRT, PNP, -50 V, 200 mW, -100 mA, 30 hFE, SOT-363NXP BST62,115 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -80 V, 200 MHz, 1.3 W, -1 A, 2000 hFESOT-363 PNP 50V 100mA
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 3 -
封装 SOT-363-6 SOT-89-3 SOT-363-6
针脚数 6 3 -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 200 mW 1.3 W -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 80 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 1A 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 2000 @500mA, 10V 30 @5mA, 5V
额定功率(Max) 300 mW 1.3 W 250 mW
直流电流增益(hFE) 30 2000 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
增益带宽 - 200 MHz -
耗散功率(Max) - 1300 mW -
高度 1 mm 1.6 mm -
封装 SOT-363-6 SOT-89-3 SOT-363-6
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
香港进出口证 NLR - -