2N7002和ZVN4106F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002 ZVN4106F 2N7002LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 VDIODES INC.  ZVN4106F  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 3 VON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.2 Ω 2.5 Ω 7.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 mW 330 mW 200 mW

阈值电压 2.1 V 3 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 120 mA 200 mA 115 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 115 mA - 115 mA

额定功率 200 mW - 0.225 W

漏源击穿电压 60.0 V - 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) - 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW - 225 mW

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 0.2 W - 225mW (Ta)

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 - - 1

正向电压(Max) - - 1.5 V

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 2.92 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.93 mm - 0.94 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

军工级 - Yes -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -

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