对比图
型号 CSD18532Q5B CSD18532Q5BT CSD18533Q5A
描述 60V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、3.2mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 15060V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18533Q5A
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8 PowerTDFN-8
通道数 1 1 1
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0025 Ω 3.3 mΩ 0.0047 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 3.2 W 156 W 3.2 W
阈值电压 1.8 V 1.5 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60 V -
连续漏极电流(Ids) 100A 100A 17A
上升时间 7.2 ns 7.2 ns 5.5 ns
输入电容(Ciss) 5070pF @30V(Vds) 5070pF @30V(Vds) 2750pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 3.2 W - 3.2 W
下降时间 3.1 ns 3.1 ns 2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 3.2W (Ta), 116W (Tc)
长度 6 mm 6 mm 5.8 mm
宽度 5 mm 5 mm 5 mm
高度 1 mm 1 mm 1.1 mm
封装 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8 PowerTDFN-8
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
香港进出口证 NLR - NLR